Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS

Mansour F.; Bouridah Hachemi

URI: http://depot.umc.edu.dz/handle/123456789/5570

Date: 2017-01-01

Description:

177 f.

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